Grote efficiëntie en duurzaamheid 3L TO-220AB SiC-diode

Korte beschrijving:

Verpakkingsstructuur: 3L TO-220AB

Inleiding: YUNYI 3L TO-220AB SiC-diode is gemaakt van siliciumcarbidematerialen. SiC-diodes hebben een hoge thermische geleidbaarheid, wat de vermogensdichtheid effectief kan verbeteren. Hoe hoger de thermische geleidbaarheid, hoe sterker het vermogen van het materiaal om warmte over te dragen aan de omgeving, hoe kleiner de temperatuurstijging van het apparaat, des te bevorderlijker voor het verbeteren van de vermogensdichtheid van het vermogensapparaat, dus het is geschikter om in te werken een omgeving met hoge temperaturen. De hoge doorslagveldsterkte van SiC-diodes verhoogt de weerstandsspanning en verkleint de grootte, en de hoge elektronische doorslagveldsterkte verhoogt de doorslagspanning van halfgeleiderapparaten. Tegelijkertijd kan, als gevolg van de toename van de veldsterkte van de elektronendoorslag, in het geval van het verhogen van de penetratiedichtheid van onzuiverheden, de breedband van het driftgebied van het SiC-diodevermogensapparaat worden verkleind, zodat de grootte van het voedingsapparaat kan worden verminderd.