Zeer betrouwbare en zelfontwikkelde TO-247AC SiC-diode

Korte beschrijving:

Verpakkingsstructuur: TO-247AC

Inleiding: YUNYI TO-247AC SiC-diode is gemaakt van siliciumcarbidematerialen. SiC-diodes kunnen de vermogensdichtheid effectief verbeteren door een hoge thermische geleidbaarheid. Hoe hoger de thermische geleidbaarheid, hoe sterker het vermogen van het materiaal om warmte af te geven aan de omgeving; hoe kleiner de temperatuurstijging van het apparaat is, hoe bevorderlijker het is om de vermogensdichtheid van het voedingsapparaat te verbeteren. Dit voordeel maakt de SiC-diodes van YUNYI geschikter om te werken in een omgeving met hoge temperaturen. De hoge doorslagveldsterkte van SiC-diodes verhoogt de weerstandsspanning en verkleint de grootte, en de hoge elektronische doorslagveldsterkte verhoogt de doorslagspanning van halfgeleiderapparaten. Tegelijkertijd kan, als gevolg van de toename van de veldsterkte van de elektronendoorslag, in het geval van het verhogen van de penetratiedichtheid van onzuiverheden, de breedband van het driftgebied van het SiC-diodevermogensapparaat worden verkleind, zodat de grootte van het voedingsapparaat kan worden verminderd.